TDLAS-DFBCHIPS-A-A81-W1648.2
LD-PD Inc
1648.2 nm InGaAsP DFB激光二极管,用于气体检测应用
可调谐二极管激光吸收光谱法, CH4监测
分布反馈(DFB),多量子阱(MQW)
连续波激光
1648.2 nm
±1 nm
5.5 mW
1 nm
1.3至2 V
80至120 mA
1.3至2 V
2 V
20 V
5至10 mA
InGaAsP
25度(平行),35度(垂直)
25度
35度
8欧姆
芯片
芯片
自由空间激光二极管
SMSR: 40 dB, 量子效率: 0.08至0.12 mW/mA
-5至70摄氏度