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TDLAS-DFBCHIPS-A-A81-W1653.7

TDLAS-DFBCHIPS-A-A81-W1653.7

  • 请咨询
  • LD-PD Inc
  • 激光二极管
  • 新加坡
  • 2025-09-17
  • 产品概述
    TDLAS-DFBCHIPS-A-A81-W1653.7是一款高性能的InGaAsP DFB激光二极管,专为气体检测和分析应用而设计。它的工作波长为1653.7 nm,适合用于可调谐二极管激光吸收光谱法,能够有效监测CH4等气体。该激光二极管具有优良的光谱特性,输出功率为5.5 mW,波长公差为±1 nm,确保了在不同环境下的稳定性和准确性。其光束发散角为25度(平行)和35度(垂直),适合各种光学系统的集成。该产品采用芯片封装,适合在多种工业和实验室环境中使用,尤其是在需要高精度气体监测的应用中表现出色。
  • 规格参数

    产品细节

    • 部件编号:

      TDLAS-DFBCHIPS-A-A81-W1653.7

    • 制造商:

      LD-PD Inc

    • 描述:

      1653.7 nm InGaAsP DFB激光二极管用于气体检测应用

    应用场景

    • 应用:

      可调谐二极管激光吸收光谱法,CH4监测

    通用参数

    • 技术:

      分布反馈(DFB),多量子阱(MQW)

    • 工作模式:

      连续波激光

    • 波长:

      1653.7 nm

    • 波长公差:

      ±1 nm

    • 输出功率:

      5.5 mW

    • 光谱宽度(FWHM):

      1 nm

    • 工作电压:

      1.3至2 V

    • 工作电流:

      80至120 mA

    • 正向电压:

      1.3至2 V

    • 反向电压:

      2 V

    • 反向电压(PD):

      20 V

    • 阈值电流:

      5至10 mA

    • 激光增益介质:

      InGaAsP

    • 光束发散角:

      25度(平行),35度(垂直)

    • 平行光束发散角:

      25度

    • 垂直光束发散角:

      35度

    • 系列电阻:

      8欧姆

    • 封装类型:

      芯片

    • 封装:

      芯片

    • 类型:

      自由空间激光二极管

    • 备注:

      侧模抑制比(SMSR):40 dB,量子效率:0.08至0.12 mW/mA

    温度

    • 存储温度:

      -5至70摄氏度

  • 产品应用
    1. 可调谐二极管激光吸收光谱法 2. CH4监测
  • 产品特征
    1. 分布反馈技术 2. 输出功率5.5 mW
  • 产品详细描述
    这是一个用于气体检测应用的1653.7 nm InGaAsP DFB激光二极管。
  • 企业介绍

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产品名称
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上架日期

光电

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