FPA 640x512_P15-1.9-TE2
ANDANTA
1.1 µm - 1.9 µm, InGaAs SWIR传感器,适用于热成像应用
InGaAs SWIR传感器
平面InGaAs PIN
640 x 512像素
区域扫描传感器
636 x 508
<100 fA
15 x 15 µm
15 µm
双级TE冷却
9.6 x 7.68 mm
DIP
28针金属SDIP
>99%
18 MHz
2.25 V
<10%
200 mW
>70%
<35 e-
640 (H) x 512 (V)
0.041 to 1.380 Me- (电荷容量)
1.1 to 1.9 µm
积分时间: 3.33 ms
短波红外成像,超光谱/多光谱成像,半导体检测/过程监控,废物回收,医学科学与生物学,冰/泥/湿气映射,高速工业热成像,透雾/烟雾,激光束轮廓,矿物识别
36.1 x 25.4 x 7.3 mm (长 x 宽 x 高)
19.5 g
-40到71摄氏度
-40到80摄氏度