LDA1024P12.5S-17-T1

LDA1024P12.5S-17-T1

Chunghwa Leading Photonics Tech (CLPT)

0.9 µm - 1.7 µm, InGaAs NIR线性图像传感器，用于短波红外成像应用

InGaAs SWIR传感器

平面InGaAs PIN

1024 x 1 像素

线性扫描传感器

30到300 fA

12.5 x 12.5 µm

12.5 µm

热电冷却

DIP

28引脚金属DIP封装

> 99 %(像素)

22 MHz

= 5 %

> 2.0 V

190 mW

> 70 %

0.25到1.2 mV

0.076到25 µV/e（电荷容量）

0.9到1.7 µm

短波红外成像，超光谱/多光谱成像，半导体检测/过程监控，分类回收

50.00 x 25.40 x 11.67 mm（长 x 宽 x 高）

25.9 g

-40到70摄氏度

-40到70摄氏度

SPI