G16564-0808T
Hamamatsu Photonics
1.7 µm - 2.55 µm,适用于检查应用的InGaAs区域图像传感器
InGaAs SWIR传感器
铟镓砷(InGaAs)
320 x 256像素
区域扫描传感器
320 x 256像素
30到300 pA
20 x 20 µm
20 µm
三阶段TE冷却
6.40 x 5.12 mm
503 fps
密封,芯片
28引脚金属
0到4 ns
0.25到3.65 V
2 µV/e-
±0.1到±0.6 V
0.01
1500到3500
20 mA
3.08到3.28 V
0.05 ms (积分时间)
1
3到3.2 V
1 kOhms
2.2 µm
±10到±30%
300到700 e-, 600到1400 µV rms
0到4 ns
0到4 ns
0到4 ns
1000 ns
320 (H) x 256 (V)
0.8到1.05 Me-
1.6到2.1 V
3660 K
400 mW
9到11 kOhms
10 mA
1.6到1.8 V
0.1到2.6 V
带AR涂层的蓝宝石玻璃
50 MHz
10 ns
12.5 MHz
0.8到1 A/W
1.7到2.55 µm
3.2到5.1 V
30到120 mA
近红外无损检测,超光谱成像,交通监控
-30到60摄氏度
-40到70摄氏度