CHP-289
SemiNex Corporation
1310 nm 半导体光放大器 6 dB 噪声系数,带芯片封装
半导体光放大器 (SOA)
2.5 mm
CW
芯片
18 dB
6 dB
磷化铟 (InP)
4 x 1 um (宽 x 高)
CLASS IIIb, CLASS IV
4 x 1 um (宽 x 高)
芯片
85 nm
±20 nm
30 dB
450 mW
1 A
2 V
1310 nm
光束出口角度: 19.5度,发散: 16度 (平行)到30度 (垂直)
FMCW LiDAR, 电信及数据中心, 可调激光器, 光谱学, 研究
-40到100摄氏度
-40到80摄氏度
否
2500 x 500 mm (长 x 宽)
0.05 g