G13441-01
Hamamatsu Photonics
1.3 µm至2.15 µm的InGaAs短波红外传感器,用于高光谱成像应用
InGaAs短波红外传感器
铟镓砷化物(InGaAs)
192 x 96 (18432) 像素
区域扫描传感器
192 x 96 (18432) 像素
30至240 pA
50 x 50 µm
50 µm
双级TE冷却
9.6 x 4.8 mm
867 fps
密封封装,芯片
28引脚金属
10至12 ns
0.5 V
1600 nV/e
0.2至0.6 V
0.01
1300
1 mA
0.83至4.3 V
50 ns
1.95 µm
±10至±30%
1500至3000 µV rms
10 ns
10 ns
192(高)x 96(宽)
1.5至2.0 V
全球快门
10至12 ns
0.2 mW
1.3至3.3 V
带抗反射涂层的蓝宝石玻璃
40 MHz
10 ns
5 MHz(视频)
0.85至1 A/W
1.3至2.15 µm
4.9至5.1 V
100至150 mA
热成像监视器,高光谱成像,近红外图像检测,半导体测试,异物检测,交通监控
-30至60摄氏度
-30至30摄氏度