BAR 177

BAR 177

SemiNex Corporation

1550 nm 曲面半导体光放大器阵列，输出功率为350 mW

半导体光放大器 (SOA)

2.5 mm

CW

芯片

18 dB

6 dB

磷化铟 (InP)

4 x 1 um(W x H)

CLASS IIIb, CLASS IV

4 x 1 um(W x H)

芯片

85 nm

±20 nm

30 dB

350 mW

1 A

2 V

1550 nm

发射器数量: 4，光束出口角度: 19.5度，发散度: 20度（平行）到30度（垂直），波导间距: 127 µm

FMCW LiDAR, 电信与数据中心, 可调激光器, 光谱学, 研究

-40到100摄氏度

-40到100摄氏度

否

2500 x 625 mm (L x W)

0.05 g