BAR-181

BAR-181

SemiNex Corporation

1310 nm 半导体光放大器阵列，波导间距为127 µm

半导体光放大器 (SOA)

2.5 mm

CW

芯片

18 dB

6 dB

磷化铟 (InP)

4 x 1 um(宽 x 高)

CLASS IIIb, CLASS IV

4 x 1 um(宽 x 高)

芯片

85 nm

±20 nm

30 dB

450 mW

1 A

2 V

1310 nm

发射器数量: 4，光束出口角度: 19.5度，发散度: 16度(平行)至30度(垂直)，波导间距: 127 µm

FMCW LiDAR, 电信与数据中心, 可调激光, 光谱学, 研究

-40至100摄氏度

-40至100摄氏度

否

2500 x 625 mm (长 x 宽)

0.05 g