BAR-183
SemiNex Corporation
1550 nm 半导体光放大器阵列,带芯片封装
半导体光放大器 (SOA)
2.5 mm
CW
芯片
18 dB
6 dB
磷化铟 (InP)
4 x 1 um(宽 x 高)
CLASS IIIb, CLASS IV
4 x 1 um(宽 x 高)
芯片
85 nm
±20 nm
30 dB
350 mW
1 A
350 mW
2 V
1550 nm
发射器数量 : 4, 光束出射角: 19.5度, 发散度: 20度 (平行) 至 30度 (垂直), 波导间距: 500 µm
FMCW LiDAR, 电信与数据中心, 可调激光器, 光谱学, 研究
-40至100摄氏度
-40至100摄氏度
否
2500 x 2000 mm (长 x 宽)
0.05 g