BAR-184

BAR-184

SemiNex Corporation

1310 nm半导体光放大器阵列，波导间距为500 µm

半导体光放大器 (SOA)

2.5 mm

CW

芯片

18 dB

6 dB

磷化铟 (InP)

4 x 1 um(宽 x 高)

CLASS IIIb, CLASS IV

4 x 1 um(宽 x 高)

芯片

85 nm

±20 nm

30 dB

450 mW

1 A

2 V

1310 nm

发射器数量：4，光束出口角度：19.5度，发散度：16度（平行）至30度（垂直），波导间距：500 µm

FMCW LiDAR, 电信与数据中心, 可调激光器, 光谱学, 研究

-40至100摄氏度

-40至100摄氏度

否

2500 x 2000 mm (长 x 宽)

0.05 g