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BAR-184光放大器实物图（SemiNex Corporation制造）

BAR-184

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BAR-184是SemiNex Corporation的一款1310 nm半导体光放大器，具有6 dB的噪声系数、30 dB的增益、450 mW的输出功率和1 A的工作电流。更多详细信息请查看以下内容。

BAR-184产品详细说明

产品详情

  • 部件编号
    BAR-184
  • 制造商
    SemiNex Corporation
  • 描述
    1310 nm半导体光放大器阵列，波导间距为500 µm

通用参数

  • 放大器类型
    半导体光放大器 (SOA)
  • 腔长
    2.5 mm
  • 输出类型
    CW
  • 封装类型
    芯片
  • 偏振消光比
    18 dB
  • 噪声系数
    6 dB
  • 增益材料
    磷化铟 (InP)
  • 输入孔径
    4 x 1 um(宽 x 高)
  • 激光等级
    CLASS IIIb, CLASS IV
  • 输出孔径
    4 x 1 um(宽 x 高)
  • 封装
    芯片
  • 光谱宽度 (FWHM)
    85 nm
  • 波长容差
    ±20 nm
  • 增益
    30 dB
  • 输出功率
    450 mW
  • 工作电流
    1 A
  • 供电电压 (DC)
    2 V
  • 波长范围
    1310 nm
  • 备注
    发射器数量：4，光束出口角度：19.5度，发散度：16度（平行）至30度（垂直），波导间距：500 µm

应用

  • 应用
    FMCW LiDAR, 电信与数据中心, 可调激光器, 光谱学, 研究

环境条件

  • 工作温度
    -40至100摄氏度
  • 存储温度
    -40至100摄氏度

光纤参数

  • 光纤耦合
    否

物理特性

  • 尺寸
    2500 x 2000 mm (长 x 宽)
  • 重量
    0.05 g

总结

  • 产品概述
    BAR-184是SemiNex Corporation推出的一款高性能1310 nm半导体光放大器。其设计用于满足现代光通信和激光应用的需求，提供高达450 mW的输出功率和30 dB的增益，确保信号的强度和质量。该设备具有6 dB的低噪声系数，适合在各种环境条件下操作，工作温度范围从-40至100摄氏度。同时，BAR-184的紧凑型芯片封装和多种应用场景的适应性，使其成为电信、数据中心、可调激光器及光谱学研究等领域的理想选择。无论是在科研还是工业应用中，BAR-184的性能都能满足严苛的要求，是光电行业中不可或缺的设备。

技术文档

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